Giống như siêu phẩm G5 của LG ra mắt tại cùng sự kiện MWC 2016, các phiên bản Galaxy S7 và Galaxy S7 Edge trang bị vi xử lý Snapdragon 820 (phát hành tại thị trường Mỹ và Trung Quốc) hoàn toàn có khả năng hỗ trợ sạc nhanh Quick Charge 3.0 - phiên bản mới nhất của công nghệ sạc pin nhanh do Qualcomm phát triển . Tuy nhiên, các phiên bản Galaxy S7, S7 Edge phát hành tại các thị trường khác tích hợp vi xử lý Exynos 8890 do Samsung phát triển lại không hỗ trợ công nghệ sạc nhanh Quick Charge. Do đó, để đảm bảo cân bằng giữa các phiên bản sử dụng vi xử lý Snapdragon 820 và các phiên bản sử dụng vi xử lý Exynos 8890, Samsung đã đi đến quyết định tất cả mẫu Galaxy S7 và Galaxy S7 Edge, bất kể sử dụng vi xử lý nào, đều được trang bị khả năng sạc nhanh với tốc độ sạc giống nhau, tương đương với tốc độ sạc của Quick Charge 2.0.

Trong khi các sản phẩm di động mới ngày càng được cải thiện dung lượng pin, công nghệ sạc nhanh ngày càng trở nên cần thiết hơn. Với công nghệ sạc nhanh Quick Charge của Qualcomm, người dùng sẽ không phải chờ đợi hàng giờ đồng hồ để sạc pin smartphone hay máy tính bảng.

Được biết, công nghệ Quick Charge 2.0 cho tốc độ sạc nhanh hơn 75% so với sạc thông thường. Đối với Quick Charge 3.0, tốc độ sạc thậm chí được đẩy lên một tầm cao mới. Ví dụ, với công nghệ sạc nhanh Quick Charge 3.0, chiếc Motorola Droid Turbo sở hữu pin có dung lượng 3.900 mAh có thể sạc từ 0% - 80% chỉ trong 30 phút, nhanh hơn gấp 4 lần so với tốc độ sạc thông thường.

Mời quý độc giả theo dõi các chương trình đã phát sóng của Đài Truyền hình Việt Nam TV Online.